MTA4ATF51264HZ-2G6E1

IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ
MTA4ATF51264HZ-2G6E1 P1
MTA4ATF51264HZ-2G6E1 P1
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Micron Technology Inc. ~ MTA4ATF51264HZ-2G6E1

Numéro d'article
MTA4ATF51264HZ-2G6E1
Fabricant
Micron Technology Inc.
La description
IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- MTA4ATF51264HZ-2G6E1 PDF online browsing
Famille
Mémoire
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Numéro d'article MTA4ATF51264HZ-2G6E1
État de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie SDRAM - DDR4
Taille mémoire 32Gb (512M x 64)
Fréquence d'horloge 1333MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.2V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -

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