MT47H64M8SH-25E AAT:H

IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
MT47H64M8SH-25E AAT:H P1
MT47H64M8SH-25E AAT:H P1
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Micron Technology Inc. ~ MT47H64M8SH-25E AAT:H

Numéro d'article
MT47H64M8SH-25E AAT:H
Fabricant
Micron Technology Inc.
La description
IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Mémoire
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Numéro d'article MT47H64M8SH-25E AAT:H
État de la pièce Last Time Buy
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie SDRAM - DDR2
Taille mémoire 512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge 400MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 400ps
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 60-TFBGA
Package de périphérique fournisseur 60-FBGA (10x18)

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