EDB5432BEPA-1DIT-F-R

IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ
EDB5432BEPA-1DIT-F-R P1
EDB5432BEPA-1DIT-F-R P1
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Micron Technology Inc. ~ EDB5432BEPA-1DIT-F-R

Numéro d'article
EDB5432BEPA-1DIT-F-R
Fabricant
Micron Technology Inc.
La description
IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- EDB5432BEPA-1DIT-F-R PDF online browsing
Famille
Mémoire
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Numéro d'article EDB5432BEPA-1DIT-F-R
État de la pièce Obsolete
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Taille mémoire 512Mb (16M x 32)
Fréquence d'horloge 533MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.14V ~ 1.95V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TC)
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -

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