IXDN602SI

MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
IXDN602SI P1
IXDN602SI P1
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IXYS Integrated Circuits Division ~ IXDN602SI

Numéro d'article
IXDN602SI
Fabricant
IXYS Integrated Circuits Division
La description
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article IXDN602SI
État de la pièce Active
Configuration pilotée Low-Side
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 35 V
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 3V
Courant - sortie de crête (source, évier) 2A, 2A
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) 7.5ns, 6.5ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC-EP

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