MMIX1F40N110P

MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD
MMIX1F40N110P P1
MMIX1F40N110P P1
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IXYS ~ MMIX1F40N110P

Numéro d'article
MMIX1F40N110P
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article MMIX1F40N110P
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 310nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 19000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SMPD
Paquet / cas 24-PowerSMD, 21 Leads

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