MKI100-12F8

MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3
MKI100-12F8 P1
MKI100-12F8 P1
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IXYS ~ MKI100-12F8

Numéro d'article
MKI100-12F8
Fabricant
IXYS
La description
MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article MKI100-12F8
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT
Configuration Full Bridge Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 125A
Puissance - Max 640W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1.3mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas E3
Package de périphérique fournisseur E3

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