IXTP7N60P

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
IXTP7N60P P1
IXTP7N60P P1
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IXYS ~ IXTP7N60P

Numéro d'article
IXTP7N60P
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXTP7N60P
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3

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