IXTN8N150L

MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
IXTN8N150L P1
IXTN8N150L P1
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IXYS ~ IXTN8N150L

Numéro d'article
IXTN8N150L
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXTN8N150L PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXTN8N150L
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7.5A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 15V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 545W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 Ohm @ 4A, 20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-227B
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC

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