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| Numéro d'article | IXTB62N50L |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 500V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 62A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 550nC @ 20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11500pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 800W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 31A, 20V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | PLUS264™ |
| Paquet / cas | TO-264-3, TO-264AA |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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IXTB30N100L | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264 | 0 | Détails | |
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IXTB62N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 | 25 | Détails |