IXTA380N036T4-7

MOSFET N-CH
IXTA380N036T4-7 P1
IXTA380N036T4-7 P1
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IXYS ~ IXTA380N036T4-7

Numéro d'article
IXTA380N036T4-7
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXTA380N036T4-7
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 36V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 380A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Vgs (Max) ±15V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13400pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 480W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-263-7
Paquet / cas TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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