IXKP13N60C5M

MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
IXKP13N60C5M P1
IXKP13N60C5M P1
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IXYS ~ IXKP13N60C5M

Numéro d'article
IXKP13N60C5M
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXKP13N60C5M
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6.5A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Super Junction
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 6.6A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220ABFP
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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