IXDS430SI

IC DRVR MOSF/IGBT 30A 28-SOIC
IXDS430SI P1
IXDS430SI P1
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IXYS ~ IXDS430SI

Numéro d'article
IXDS430SI
Fabricant
IXYS
La description
IC DRVR MOSF/IGBT 30A 28-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article IXDS430SI
État de la pièce Obsolete
Configuration pilotée Low-Side
Type de canal Single
Nombre de pilotes 1
Type de porte IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 8.5 V ~ 35 V
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 3.5V
Courant - sortie de crête (source, évier) 30A, 30A
Type d'entrée Inverting, Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) 18ns, 16ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Package de périphérique fournisseur 28-SOIC

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