70V3579S4DRG

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
70V3579S4DRG P1
70V3579S4DRG P1
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IDT, Integrated Device Technology Inc ~ 70V3579S4DRG

Numéro d'article
70V3579S4DRG
Fabricant
IDT, Integrated Device Technology Inc
La description
IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Mémoire
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Numéro d'article 70V3579S4DRG
État de la pièce Preliminary
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire SRAM
La technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Taille mémoire 1.125Mb (32K x 36)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 4.2ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 3.15V ~ 3.45V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 208-BFQFP
Package de périphérique fournisseur 208-PQFP (28x28)

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