SPU18P06P

MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
SPU18P06P P1
SPU18P06P P1
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Infineon Technologies ~ SPU18P06P

Numéro d'article
SPU18P06P
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SPU18P06P PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article SPU18P06P
État de la pièce Obsolete
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18.6A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 13.2A, 10V
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO251-3
Paquet / cas TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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