SPI10N10

MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
SPI10N10 P1
SPI10N10 P1
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Infineon Technologies ~ SPI10N10

Numéro d'article
SPI10N10
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article SPI10N10
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10.3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 21µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 426pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 7.8A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO262-3-1
Paquet / cas TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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