IRL60SL216

MOSFET N-CH 60V 195A
IRL60SL216 P1
IRL60SL216 P1
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Infineon Technologies ~ IRL60SL216

Numéro d'article
IRL60SL216
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH 60V 195A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IRL60SL216
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 255nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15330pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95 mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-262-3
Paquet / cas TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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