IRFH4257DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
IRFH4257DTRPBF P1
IRFH4257DTRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFH4257DTRPBF

Numéro d'article
IRFH4257DTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article IRFH4257DTRPBF
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1321pF @ 13V
Puissance - Max 25W, 28W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseur Dual PQFN (5x4)

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