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| Numéro d'article | IRF8513PBF |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 8A, 11A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 766pF @ 15V |
| Puissance - Max | 1.5W, 2.4W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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IRF8010PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB | 0 | Détails | |
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IRF8113 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Détails | |
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IRF8113TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Détails | |
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IRF8113TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Détails | |
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