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| Numéro d'article | IRF7410PBF |
|---|---|
| État de la pièce | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 12V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 16A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8676pF @ 10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 2.5W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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IRF710 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB | - | 0 | Détails |
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IRF7101PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | 0 | Détails | |
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IRF7101TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | 4000 | Détails | |
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IRF7102 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC | 0 | Détails | |
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IRF7103PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 5991 | Détails | |
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IRF7103Q | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 0 | Détails | |
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IRF7103QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 0 | Détails | |
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IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 12000 | Détails | |
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IRF7104PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 0 | Détails | |
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IRF7104TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 0 | Détails | |
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IRF7105PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC | 1060 | Détails | |
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IRF7105QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC | 0 | Détails |