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| Numéro d'article | IRF6709S2TR1PBF |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 25V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 39A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 13V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.8W (Ta), 21W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 12A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | DIRECTFET S1 |
| Paquet / cas | DirectFET™ Isometric S1 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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IRF6702M2DTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | 0 | Détails | |
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