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Numéro d'article | IRF5803 |
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État de la pièce | Obsolete |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1110pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 2W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 3.4A, 10V |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | Micro6™(TSOP-6) |
Paquet / cas | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |