IRF5802TR

MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
IRF5802TR P1
IRF5802TR P2
IRF5802TR P1
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Infineon Technologies ~ IRF5802TR

Numéro d'article
IRF5802TR
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IRF5802TR
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 900mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 88pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 540mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur Micro6™(TSOP-6)
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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