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| Numéro d'article | IPW65R041CFDFKSA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 68.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 33.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3.3mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 100V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 500W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | PG-TO247-3 |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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