Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
Numéro d'article | IPSA70R600P7SAKMA1 |
---|---|
État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 700V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 400V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 364pF @ 400V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 43.1W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | PG-TO251-3 |
Paquet / cas | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |