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Numéro d'article | IPL60R2K1C6SATMA1 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 21.6W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 760mA, 10V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | Thin-PAK (5x6) |
Paquet / cas | 8-PowerTDFN |