Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | IPL60R185C7AUMA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 260µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 400V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PG-VSON-4 |
| Paquet / cas | 4-PowerTSFN |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPL60R060CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | - | 14137 | Détails |
|
IPL60R065C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | 0 | Détails | |
 |
IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | - | 15553 | Détails |
 |
IPL60R075CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | - | 17393 | Détails |
 |
IPL60R085P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | - | 18690 | Détails |
|
IPL60R095CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | - | 19641 | Détails |
 |
IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON | 0 | Détails | |
 |
IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | - | 23908 | Détails |
|
IPL60R115CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | - | 23381 | Détails |
|
IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON | 0 | Détails | |
 |
IPL60R125P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | - | 30895 | Détails |
|
IPL60R140CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | - | 27432 | Détails |