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| Numéro d'article | IPI77N06S3-09 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 55V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 77A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 55µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5335pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 39A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | PG-TO262-3 |
| Paquet / cas | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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IPI77N06S3-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 77A TO-262 | 0 | Détails |