IPI60R190C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
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Infineon Technologies ~ IPI60R190C6XKSA1

Numéro d'article
IPI60R190C6XKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IPI60R190C6XKSA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IPI60R190C6XKSA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20.2A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 630µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 9.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO262-3
Paquet / cas TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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