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Numéro d'article | IPI111N15N3GAKSA1 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 83A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 160µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 75V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 214W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1 mOhm @ 83A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | PG-TO262-3 |
Paquet / cas | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |