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| Numéro d'article | IPAN60R800CEXKSA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 8.4A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 373pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | Super Junction |
| Dissipation de puissance (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2A, 10V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | PG-TO220 Full Pack |
| Paquet / cas | TO-220-3 Full Pack |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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IPAN60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | - | 61357 | Détails |
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IPAN60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 9.9A TO220 | 973 | Détails | |
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IPAN60R800CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 8.4A TO220 | 963 | Détails |