Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | IDH20G120C5XKSA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 56A (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 20A |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 123µA @ 1200V |
| Capacitance @ Vr, F | 1050pF @ 1V, 1MHz |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-220-2 |
| Package de périphérique fournisseur | PG-TO220-2-1 |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 56A TO220-2 | 790 | Détails | |
 |
IDH20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220-2 | - | 0 | Détails |
 |
IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220-2 | - | 0 | Détails |
|
IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SIC DIODES | - | 0 | Détails |