FZ800R45KL3B5NOSA2

MODULE IGBT A-IHV130-4
FZ800R45KL3B5NOSA2 P1
FZ800R45KL3B5NOSA2 P1
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Infineon Technologies ~ FZ800R45KL3B5NOSA2

Numéro d'article
FZ800R45KL3B5NOSA2
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MODULE IGBT A-IHV130-4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FZ800R45KL3B5NOSA2 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article FZ800R45KL3B5NOSA2
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 4500V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 1600A
Puissance - Max 9000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 800A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.1nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -50°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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