FZ500R65KE3NOSA1

MOD IGBT MED PWR A-IHV130-6
FZ500R65KE3NOSA1 P1
FZ500R65KE3NOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ FZ500R65KE3NOSA1

Numéro d'article
FZ500R65KE3NOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOD IGBT MED PWR A-IHV130-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FZ500R65KE3NOSA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article FZ500R65KE3NOSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 6500V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 1000A
Puissance - Max 2000000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 500A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 135nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -50°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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