FZ1600R17KF6CB2NOSA1

MODULE IGBT A-IHM130-1
FZ1600R17KF6CB2NOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ FZ1600R17KF6CB2NOSA1

Numéro d'article
FZ1600R17KF6CB2NOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MODULE IGBT A-IHM130-1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FZ1600R17KF6CB2NOSA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article FZ1600R17KF6CB2NOSA1
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Configuration 2 Independent
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2600A
Puissance - Max 12500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 1600A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 3mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 105nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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