FD800R17HP4KB2BOSA2

IGBT MODULE VCES 1700V 800A
FD800R17HP4KB2BOSA2 P1
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Infineon Technologies ~ FD800R17HP4KB2BOSA2

Numéro d'article
FD800R17HP4KB2BOSA2
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FD800R17HP4KB2BOSA2 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article FD800R17HP4KB2BOSA2
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Single Chopper
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 800A
Puissance - Max 5200W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 800A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 65nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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