DDB6U85N16LHOSA1

IGBT MODULE 1600V 60A
DDB6U85N16LHOSA1 P1
DDB6U85N16LHOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ DDB6U85N16LHOSA1

Numéro d'article
DDB6U85N16LHOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT MODULE 1600V 60A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Matrices
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Numéro d'article DDB6U85N16LHOSA1
État de la pièce Active
Configuration de diode 3 Independent
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 1600V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) 60A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.44V @ 100A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 5mA @ 1600V
Température de fonctionnement - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur AG-ISOPACK-1

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