BSP135L6433HTMA1

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
BSP135L6433HTMA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSP135L6433HTMA1

Numéro d'article
BSP135L6433HTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- BSP135L6433HTMA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article BSP135L6433HTMA1
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 120mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 94µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 146pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Depletion Mode
Dissipation de puissance (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 Ohm @ 120mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-SOT223-4
Paquet / cas TO-261-4, TO-261AA

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