98-0119PBF

IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP
98-0119PBF P1
98-0119PBF P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Infineon Technologies ~ 98-0119PBF

Numéro d'article
98-0119PBF
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
98-0119PBF.pdf 98-0119PBF PDF online browsing
Famille
Durée de conservation
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article 98-0119PBF
État de la pièce Obsolete
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 3.3 V ~ 20 V
Tension logique - VIL, VIH 6V, 9.5V
Courant - sortie de crête (source, évier) 2A, 2A
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 600V
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 17ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas 14-DIP (0.300", 7.62mm), 12 Leads
Package de périphérique fournisseur 14-PDIP

Produits connexes

Tous les produits