2PS18012E44G40113NOSA1

MODULE IGBT STACK A-PS4-1
2PS18012E44G40113NOSA1 P1
2PS18012E44G40113NOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ 2PS18012E44G40113NOSA1

Numéro d'article
2PS18012E44G40113NOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MODULE IGBT STACK A-PS4-1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- 2PS18012E44G40113NOSA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article 2PS18012E44G40113NOSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2560A
Puissance - Max 5600W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic -
Courant - Coupure du collecteur (Max) -
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce -
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -25°C ~ 60°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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