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Numéro d'article | 1N8026-GA |
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État de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Rectifié moyen (Io) | 8A (DC) |
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.6V @ 2.5A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1200V |
Capacitance @ Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-257-3 |
Package de périphérique fournisseur | TO-257 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 250°C |