NDH832P

MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8
NDH832P P1
NDH832P P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ NDH832P

Numéro d'article
NDH832P
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article NDH832P
État de la pièce Obsolete
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 10V
Vgs (Max) -8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SuperSOT™-8
Paquet / cas 8-SMD, Gull Wing

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