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| Numéro d'article | FQB32N12V2TM |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 120V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1860pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 3.75W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 16A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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FQB30N06LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK | - | 12000 | Détails |
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FQB30N06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK | 0 | Détails | |
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FQB32N12V2TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK | 0 | Détails | |
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