FGA6560WDF

IGBT 650V 120A 306W TO-3PN
FGA6560WDF P1
FGA6560WDF P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FGA6560WDF

Numéro d'article
FGA6560WDF
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
IGBT 650V 120A 306W TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article FGA6560WDF
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 120A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 180A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A
Puissance - Max 306W
Échange d'énergie 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 84nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 25.6ns/71ns
Condition de test 400V, 60A, 6 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 110ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-3P-3, SC-65-3
Package de périphérique fournisseur TO-3PN

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