FDS8960C

MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
FDS8960C P1
FDS8960C P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDS8960C

Numéro d'article
FDS8960C
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FDS8960C PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDS8960C
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 35V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 15V
Puissance - Max 900mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO

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