FDS8935

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
FDS8935 P1
FDS8935 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDS8935

Numéro d'article
FDS8935
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDS8935
État de la pièce Active
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 183 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 879pF @ 40V
Puissance - Max 1.6W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO

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