FDS6812A

MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
FDS6812A P1
FDS6812A P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDS6812A

Numéro d'article
FDS6812A
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDS6812A
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1082pF @ 10V
Puissance - Max 900mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO

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