FDR8305N

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
FDR8305N P1
FDR8305N P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDR8305N

Numéro d'article
FDR8305N
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDR8305N
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 10V
Puissance - Max 800mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SMD, Gull Wing
Package de périphérique fournisseur SuperSOT™-8

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