FDPC8012S

MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP
FDPC8012S P1
FDPC8012S P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDPC8012S

Numéro d'article
FDPC8012S
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FDPC8012S PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDPC8012S
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 13A, 26A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1075pF @ 13V
Puissance - Max 800mW, 900mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur Powerclip-33

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