FDMD8260L

MOSFET 2N-CH 60V 6-MLP
FDMD8260L P1
FDMD8260L P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMD8260L

Numéro d'article
FDMD8260L
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 60V 6-MLP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDMD8260L
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5245pF @ 30V
Puissance - Max 1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 12-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur 12-Power3.3x5

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