FDMC89521L

MOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33
FDMC89521L P1
FDMC89521L P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMC89521L

Numéro d'article
FDMC89521L
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDMC89521L
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1635pF @ 30V
Puissance - Max 800mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur 8-Power33 (3x3)

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